单晶xrd检测半导体xrd检测——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要---半导体产业发展的应用技术研究,---重大技术应用的基础研究,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。
由于有标法很难用,单晶xrd检测费用多少,因此有人就着手研究“无标法”了。这些方法通过理论计算k(就是上式中c的一部分),或者按某种方法直接比强度。由于晶体结构的复杂性,理论计算c的可能性很小,目前实用的大概只有“钢中残留奥氏体的测量”(有)。直接比强度法理论是可行的。但是,也附加了很多种条件。比如,要测的样品中有两个相,需要另外提供一个也含有这样两个相(多一个或少一个都不行),含量又不同于待测样的附加样品。通过理论计算还是可以的。比如还原co粉时,通常都同时存在两种结构的co相(立方和六方)。如果刚好有一批这样的样品,就可能用这种方法来做含量计算,但是,老天保佑,千万别被氧化了,如果样品中还含有氧化钴,麻烦就来了。当然,如果,样品中含有10个相,就得至少提供这样的10个样品。想想,好不容易弄出一个样品来,还要另外去找9个相似的样品(都含有10个相同的相,而且含量不能相同),有可能吗?真不可能! 说了这些困难,也就是为了告诉你一个事实,为什么一般实验室在做物相鉴定时说得头头是道,而你想测物相含量时,河北单晶xrd检测,他只有两个字回答你:不做!
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如何由粉末衍射数据通过 fullprof 提取结构因子?
首先需要一个 dat 文件,行,2theta 起点,步长,单晶xrd检测价格,终点,下面是每个点的强度。下面需要编写 pcr 文件,先得到六个晶胞参数,零点,还要得到 18-30 个背景点,才能开始 编写,其他参数设置可以看说明书。
如果你以前用 fullprof精修过结构,则只需修改如下参数:line 11-2 的 n(number of ---s in asymmetric unit)参数置为 0,相应的下面与原子有关的参数 就不要了;line 11-2 的 jbt 参数(2,-2,3 或-3,具体看说明)。至于要输出什么样格式的结构因 子数据文件,可以通过 line 3 的 jfou 参数来控制。
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薄膜应力作为半导体制程、mems微纳加工、光电薄膜镀膜过程中性能测试的必检项,其测试的精度、重复性、效率等因素为业界所重点关注。对应产品目前业界有两种主流技术流派:1)以美国fsm、kla、toho为代表的双激光波长扫描技术(线扫模式),尽管是上世纪90年代技术,但由于其简单,适合常规fab制程中进行快速qc,至今仍广泛应用于相关工厂。2)以美国ksa为代表的mos激光点阵技术,抗环境振动干扰,精于局部区域内应力测量,这在研究局部薄膜应力均匀分布具有特定意义。线扫模式主要测量晶圆薄膜整体平均应力,单晶xrd检测机构,监控工序工艺的重复性有意义。但在监控或精细分析局部薄膜应力,激光点阵技术具有特殊优势,比如在mems压电薄膜的应力和缺陷监控。
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