xrd小角度检测xrd残余应力检测——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要---半导体产业发展的应用技术研究,xrd小角度检测分析,---重大技术应用的基础研究,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。
xrd小角度测试x 射线散射效益来自于物质内部1~100nm 量级范围内电子密度的起伏。对于完全均匀的物质,其散射强度为零。
当出现第二相或不均匀区时才会发生散射,且散射角度随着散射体尺寸的增大而减小。
xrd小角度测试x射线散射强度受粒子尺寸、形状、分散情况、取向及电子密度分布等的影响。
对于稀疏分散、随机取向、大小和形状一致,且每个粒子内部具有均匀电子密度的粒子组成体系,xrd小角度检测平台, 对于不规则形状的粒子体系,其散射强度不同,表现为散射函数不同。
同样,具有一致取向的粒子构成的稀疏粒子体系与无取向的粒子体系的散射强度也不同。
xrd小角度测试x射线散射可测尺寸分布,江苏xrd小角度检测,回旋半径,相关距离,平均壁厚,分形维度,以及分数等,可提供变温(室温~230°c),原位拉伸散射测试。
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残余应力及其产生
1. 类内应力
在较大的材料区域(很多个晶粒范围)内几乎是均匀的。与第ⅰ类内应力相关的内力在横贯整个物体的每个截面上处于平衡。与相关的内力矩相对于每个轴同样抵消。当存在的物体的内力平衡和内力矩平衡遭到破坏时会产生宏观的尺寸变化。
2.第二类内应力
在材料的较小范围(一个晶粒或晶粒内的区域)内近乎均匀。与相联系的内力或内力矩在足够多的晶粒中是平衡的。当这种平衡遭到破坏时也会出现尺寸变化。
3.第三类内应力
在的材料区域(几个原子间距)内也是不均匀的。与相关的内力或内力矩在小范围(一个晶粒的足够大的部分)是平衡的。当这种平衡破坏时,不会产生尺寸的变化。
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x射线衍射残余应力测定的sin2ψ法应力是通过应变来进行测定的,对于多晶体材料而言,残余应力所对应的应变被认为是相应区域里晶格应变的统计结果,因此依据x射线衍射原理测定晶格应变,即可计算残余应力。
x射线衍射残余应力测定的sin2ψ法
材料的残余应力与宏观应变相对应,宏观应变被认为等同于晶格应变,晶格应变即晶面间距的相对变化,而晶面间距的变化可以通过衍射装置依据布拉格定律求出,这便是x射线衍射残余应力测定法的完整思路。
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