xrd摇摆曲线检测xrd残余应力检测——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要---半导体产业发展的应用技术研究,---重大技术应用的基础研究,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。
二次粒子质谱是借助入射粒子的轰击功能,将样品表面原子溅出,由质谱仪测定二次粒子,根据质谱峰位的数,xrd摇摆曲线检测报告,可以确定二次离子所属的元素和化合物,从而可测定表面元素的组成。这是一种常用的表面分析技术。其特点是高灵敏度和高分辨率。
利用二次离子质谱对掺杂元素的---灵敏度的特点,对样品的注入条件进行分析,在生产中可以进行离子注入机台的校验,并确定新机台的可以投入生产。同时,二次离子质谱对于cvd沉积工艺的监控尤其是硼磷元素的分布和生长比率等方面有的作用。通过二次离子质谱结果的分析帮助cvd---进行生长条件的调节,确定沉积工艺条件。对于杂质污染的分析,可以对样品表面结构和杂质掺杂情况进行详细了解,---芯片的有源区的洁净生长,对器件的电性及---性起到---的作用。对掺杂元素退火后的形貌分析研究发现通过改变掺杂元素的---分布,来---器件的电学性能达到设计要求。可以帮助ltd进行新工艺的研究对于90nm/65nm/45nm新产品开发起到很大作用。
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●应力公式中不包含无应力衍射角2θ,给应力测试带来方便。
●式中偏导数项,实际是2θ与sin2ψ关系直线的斜率,采用小二乘法进行线形回归,求解出该直线斜率,代入应力公式中即可获得被测的三个应力分量。
为了获得x轴方向正应力σx,xrd摇摆曲线检测,射线应在φ=0°情况下以不同ψ角照射试样,测试出各ψ角对应相同(hki)晶面的衍射角2θ值
为了获得y轴方向正应力σy,甘肃xrd摇摆曲线检测,射线应在φ=90°情况下进行照射,测试出各ψ角对应的晶面衍射角2θ值。为了获得切应力分量txy,需要分别在φ=0°、45°及90°情况下进行测试。在每个入射方位角φ下,必须选择两个以上ψ角进行测试。所选择角ψ的数量,视具体情况而定。
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残余应力及其产生
1. 类内应力
在较大的材料区域(很多个晶粒范围)内几乎是均匀的。与第ⅰ类内应力相关的内力在横贯整个物体的每个截面上处于平衡。与相关的内力矩相对于每个轴同样抵消。当存在的物体的内力平衡和内力矩平衡遭到破坏时会产生宏观的尺寸变化。
2.第二类内应力
在材料的较小范围(一个晶粒或晶粒内的区域)内近乎均匀。与相联系的内力或内力矩在足够多的晶粒中是平衡的。当这种平衡遭到破坏时也会出现尺寸变化。
3.第三类内应力
在的材料区域(几个原子间距)内也是不均匀的。与相关的内力或内力矩在小范围(一个晶粒的足够大的部分)是平衡的。当这种平衡破坏时,不会产生尺寸的变化。
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